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三星二代3纳米良率20%

发布时间:2024-05-21 23:00:14来源: 15210273549

韩媒报道,三星电子的第二代3纳米制程良率仍欠佳,而这项制程今年稍晚会用来生产即将内建于Galaxy S25旗舰智能手机的Exynos 2500移动处理器。

NotebookCheck网站20日报道,新思科技(Synopsys)5月2日发布新闻稿宣布,三星采用最新3纳米GAA制程的旗舰行动系统单晶片(SoC),已成功完成设计定案(tape out),引起市场瞩目。人们普遍相信,这款SoC应是次世代Exynos 2500。

 

不过,根据韩媒DealSite及社群平台X用户@Revegnus1的说法,三星的第二代3纳米制程良率仅有20%。换言之,硅晶圆上每10颗芯片就有8颗有缺陷。

目前不清楚这篇报道指的是三星的3GAP制程、抑或是原始的3GAA。相比之下,台积电的N3B制程良率则为接近55%,而次世代N3E制程的良率仍是未知。

@Revegnus1于5月14日爆料指出,Google从2025年释出的Pixel 10智能手机开始,Tensor应用处理器将改采台积电的3纳米制程技术。Google最近扩大了台湾地区的研发中心,并积极聘用当地半导体工程师,准备与台积电合作。

 

根据Tech Edt 5月20日报道,过去几年来,三星晶圆代工事业Samsung Foundry一直是Google Tensor芯片的主要代工商。上述传闻意味着,三星或许失去了这项合约。

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